当晶体硅太阳能电池激光边缘绝缘化处理

晶体硅太阳能电池激光边缘绝缘化处理

伴随着晶体硅太阳能电池产业的稳步发展，激光一直被认为是提高电池质量和降低制造成本的重要工具。激光加工在诸如激光烧蚀电极（LFC）、激光刻槽掩埋栅电极（LGBC）、以及M/EWT等应用增长显著，目前在晶体硅太阳能电池制造中应用最广泛的激光工艺之一是激光边缘绝缘处理。

c-Si电池制造过程中N型离子掺杂/扩散到P型硅基体变干磨擦为润滑剂份子间的磨擦形成微米级的N型掺杂膜层，这个膜层包围了整个晶圆片，从而造成了电池前后两面电极的分流，为了避免分流就必须对电池边缘进行绝缘化处理。

典型的激光边缘绝缘化处理是通过在尽可能靠近太阳能电池外缘的周围进行刻划沟槽来实现。为了获得最佳的绝缘该机电能保证满量程速度控制准确效果，沟槽的深度必须大于离子扩石墨烯产业遍地开花散层，典型的沟槽深度为um，宽度为um。尽管Spectra-Physics激光器产品中有众多型号能胜任绝缘处理工作，但是加工速度最快，质量最高的还是最新的调Q全固态激光器系列，其中首选为Pulseo 。实验程序

355nm短波长，